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3毫米波段InGaAs-InP双异质结双极型晶体管研制成功

发布时间:2017-12-03 阅读:

  3mm带InGaAs / InP双异质结双极晶体管研制成功

  \\ u0026中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究组(4室)以金智教授为首的研究小组成功开发了3毫米波段InGaAs / InP双异质结双极型晶体管。毫米波段是满足高精度探测和高速数据通信日益苛刻的要求的关键资源。继8mm频段(26.5〜40GHz)之后,3mm频段(75〜111GHz)已成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路(MMIC)由于体积小,重量轻,性能高,成本低而得到了广泛的应用。基于InP的异质结BJT是3 mm波段MMIC应用中最重要的固态半导体器件。它们是国际工业界和学术界的热门话题。但由于其高科技门槛,只有少数发达国家如美国和日本的国家掌握了相关技术。在金Professor教授的领导下,研究人员对InGaAs / InP双异质结双极晶体管(DHBT)进行了深入的研究。器件材料结构创新设计,采用较厚的集电极层来保证较高的击穿电压,采用InGaAs和双InGaAsP复合结构的带状结构裁剪,大大提高了高DHBT器件的频率性能;在工艺技术上,开发了HBT钝化,平面化等关键技术,有效提高了器件的性能。在研究过程中,开发了一整套亚微米InGaAs / InP DHBT工艺。开发的DHBT器件的击穿电压大于6V,最大电流增益截止频率达到176GHz,最大振荡频率高达253GHz,均创造了国内记录,针对3毫米波段的MMIC电路设计要求。高性能DHBT器件的成功研制对我国3mm波段器件和电路的应用和发展具有重要意义。 \\ u0026本研究课题由国家科技部973项目和中国科学院重大方向项目资助。

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